ダイオードの動作原理 (順方向導電性、逆方向非導電性)-
結晶ダイオードは、p- 型半導体と n- 型半導体によって形成される p- 接合です。空間電荷層が界面の両側に形成され、内蔵電場が確立されます。-外部電圧が印加されていない場合、p{6}}n接合間のキャリア濃度差によって生じる拡散電流と、内蔵電場によって生じるドリフト電流は等しくなり、電気的平衡状態になります。順方向バイアスが印加されると、外部電界と内部電界の相互相殺効果によってキャリアの拡散電流が増加し、順方向電流が発生します（導電性の理由）。逆バイアスが印加されると、外部電界と内部電界がさらに強化され、特定の逆電圧範囲内で逆バイアス電圧値に依存しない逆飽和電流 I0 が形成されます (これが非導電性である理由です)。
印加された逆電圧が十分に高いと、p-n接合空間電荷層の電界強度が臨界値に達し、キャリア増倍プロセスが発生し、多数の電子-対が生成され、ダイオード降伏として知られる非常に大きな逆降伏電流が生成されます。
